先端技術トピックス

電荷蓄積メモリにおいて重要なSiN膜中のトラップ特性について、従来観測が困難であった短時間の特性評価手法を開発し、それによって正孔トラップ特性の包括的な描像を得ました。この成果は国際学会IRPS2023で発表されました。

3次元LSIではポリシリコンにトランジスタを形成します。トランジスタの高性能化には欠陥のないポリシリコンを形成することが重要です。その形成プロセスを確立するために、従来の電子顕微鏡技術を改良し原子スケールかつリアルタイムの結晶粒の成長過程を観察しました。

3Dメモリ製造では極小の径と極めて深い穴（高アスペクト比）の加工を行う。この制御には非破壊、高精度な測定法が必要となる。我々はT-SAXS(透過型X線小角散乱法)の測定能力をシミュレーションにより解析した。将来の3次元メモリ形状測定で必要となる0.1um径、深さ30umの構造について、精度<1%ので測定可能であることを確認した。

デバイス製造過程の欠陥データと設計データのデジタライゼーションにより製品完成時の電気テスト合否予測精度が大幅に向上しました。
この技術はデバイス開発のスピードアップや生産性改善に寄与しています。

最先端の半導体プロセスを応用して、ナノ材料のサイズと同程度の隙間があるナノギャップを制御性良く一括形成し、ギャップ作成後にナノ材料を挿入することでナノ材料の電気特性を評価する手法を確立しました。

三次元微細構造は、多様な薄膜が三次元的に複雑に積層した構造ですが、各薄膜及び界面の微細構造、元素組成分布等を正確に把握することは高性能かつ高信頼性デバイスを実現する上で重要です。そのためには、デバイス構造中のナノメートルレベルの三次元微細構造を計測可能な分析解析技術が不可欠です。我々はこの課題克服に向け、様々な先端分析技術の研究開発を推進しています。