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CTOメッセージ
「メモリ新時代」を切り拓くために最先端の研究・技術開発を進めます。
キオクシアはNAND型フラッシュメモリ、3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™を世界に先駆けて提案・開発し、「『記憶』で世界をおもしろくする」を実現するため、将来に向けた研究・技術開発を推進しています。
スマートフォン、IoTデバイス、5G/6Gネットワーク、自動運転やDXなどによって喚起される需要にこたえるとともに、環境負荷を減らしたコンピューティングなどで持続可能な社会を実現するため、BiCS FLASH™の更なる進化のみでなく次世代新規メモリデバイスやストレージシステムの開発に注力しています。
また、ビッグデータの分析等によりDX化を加速し、人×デジタルの融合による高効率かつスピーディな研究・技術開発をめざしています。
さらに、顧客やパートナーとの連携、産学連携などのオープンイノベーションを通じて社外との研究開発を強化し、人材交流、社内外の若手半導体技術者育成および研究活動にも貢献しています。
当社は、これからもBiCS FLASH™の開発を通じて業界をリードし、高速・大容量・高信頼性のメモリ、SSDを世界中に提供し、デジタル社会を支えていきます。
キオクシア株式会社
技術統括責任者
宮島 秀史
略歴
1964年生まれ。1989年3月 東京工業大学大学院 総合理工学研究科 エネルギー科学専攻修士課程修了
1989年4月 株式会社東芝へ入社し、ULSI研究所にて次世代成膜技術の研究に従事、主に先端ロジック向けのCu/Low-k多層配線技術の開発およびその量産化をリード
2008年1月 ニューヨーク州立大学アルバニー校にてIBMとの先端ロジック開発プロジェクトに参画
2014年9月 四日市工場第三生産技術部長としてNAND型フラッシュメモリの生産技術を担当
2018年1月 東芝メモリ株式会社(現キオクシア株式会社)先端メモリ開発センター長としてBiCS FLASH™技術のプロセス開発をけん引
2019年3月 名古屋大学大学院 工学研究科 電子情報システム専攻博士課程修了
2023年4月 キオクシア株式会社 メモリプロセス技師長、2023年10月より技術統括責任者(CTO)