先端技術研究所

AI・システム研究開発センターでは、「AI技術」「デバイス設計技術」「システム技術」を柱に、チームが連携・融合して、データセントリックなコンピューティング社会における応用探索・設計評価・システム開発を一貫して行っています。

AI技術の加速度的な普及に伴い、データ活用の重要性が増し、半導体メモリやストレージへの要求も、より大容量に、より高性能に、より低消費電力にと、大きく変化してきています。このような変化の中では、単体デバイス技術から応用市場まで全体を通して理解した上で開発を進めていくことが重要です。

AI技術やメモリシステム技術に関する最先端の研究開発を通じて、新規半導体デバイスに要求される特性を先行して把握し、設計や評価に活かす研究開発を進めます。さらに、新規半導体デバイスを高性能・高効率に活用するコントローラーやソフトウェア、ハードウェアアーキテクチャーといったシステム技術の研究開発を推進することで製品の価値を高め、お客様に対し新たな付加価値を提案・提供していきます。

コアテクノロジー研究開発センターでは、新子安テクノロジーフロントに設置した先端研究用のクリーンルームを活用し、新メモリコンセプトの創出に向けて、新材料・プロセスの研究開発および新構造・新原理デバイスの試作開発を行っています。

半導体メモリ製品の大容量化、高性能化、高付加価値化を継続的に実現していくために、世界に先駆けて新しいメモリコンセプトを次々に生み出し、タイムリーに検証していくことが重要です。物理現象の理解に根差したデバイス開発を行うため、TCAD・第一原理計算などの計算科学、および高精度電気評価や先端物理解析などの基盤技術も活用しています。さらに、オープンイノベーションを推進し、大学・研究機関や装置・材料メーカーとも連携して研究を行っています。

有望な新メモリコンセプトは、デバイス・プロセス研究開発センターの300mmラインと連携してプロトタイプ開発を行い、価値ある新規メモリ製品を市場に投入していきます。

デバイス・プロセス研究開発センターでは、世界トップレベルのデバイス技術・プロセス技術・インテグレーション技術を研究開発しています。

新規メモリ製品の実現には、新材料や新構造を用いて高機能化したメモリセル、周辺回路を高速駆動するトランジスタ、メモリセルや周辺回路をつなぐ低抵抗のコンタクト・配線などの高度なデバイス技術が求められます。また、デバイスを直径300mmのシリコンウエハー上に作り込むには、超微細なパターンを形成するリソグラフィ、パターンを精密に加工するドライエッチング・ウェットエッチング・CMP、様々な材料の極薄膜を精度よく成膜する酸化・CVD・ALD・塗布などのプロセス技術とそれらのプロセスを巧みにつなぎ合わせて新構造を実現するインテグレーション技術が求められます。

革新的なデバイス技術、プロセス技術、インテグレーション技術を導入した製品プロトタイプを試作し、市場が求める新規メモリ製品を提案していきます。