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データセンター・ストレージ向けソリューション
データセンター用SSDは、予測相応の応答時間で安定したパフォーマンスを持つストレージとして、クラウドやハイパースケール向けの利用環境を提供します。 PCIe®とNVMe™技術を基に開発されたデータセンター向けSSDは、性能、消費電力、遅延性などのバランスが調整されており、サーバー負荷分散型拡張システムや単一サーバ用途に利用頂けます。
ハイパースケールおよびクラウド向け データセンターストレージ
分散型データベース、IoT、分析、ストリーミングメディア、コンテンツ配信などのクラウドアプリケーションでは、システム拡張環境に対応し、通信品質(QoS)を調整保持するためのストレージ性能や機能が必要です。
データセンターSSDソリューション
キオクシアは、データセンター向けNVMe™ SSDのリーダーでありイノベーターとして、幅広い耐久性、容量、セキュリティ仕様を提供しています。 KIOXIA CDシリーズとKIOXIA XDシリーズは、新世代のPCIe®、NVMe™技術やフォームファクタなど現在および将来の様々な用途に対応した仕様を提供します。
KIOXIA CDシリーズSSDはスケールアウトとクラウドアプリケーションに適した、リードインテンシブ向け製品およびミックスドユース向け製品を提供します。PCIe® 5.0およびNVMe™ 2.0仕様に準拠し、2.5インチとE3.Sのフォームファクター、最大30.72 TBの容量（2024年5月時点 2.5インチのみ）の製品を用意しています。
KIOXIA XDシリーズSSDは、EDSFF（Enterprise and Datacenter Standard Form Factor）E1.Sで提供され、Open Compute Project（OCP）環境向けに設計されています。 PCIe® 5.0、NVMe™ 2.0仕様に準拠して設計され、最大7.68 TBの容量（2024年10月時点）をサポートします。
データセンター用途
クラウドサーバー
パブリッククラウドや自社内クラウドは、多くの企業のデータセンターの根幹となっています。データセンター用NVMe™ SSDは、24時間365日稼働に必要な安定した性能とレイテンシを提供します。
推奨製品
エッジサーバー
IoTは産業用アプリケーションやスマートシティなどに必要な管理機能の可能性をもたらします。エッジサーバは、IoTデータをクラウドに送信するゲートウェイであり、データセンター向けNVMe™ SSDは、様々な仕様で要求性能を実現します。
推奨製品
関連技術
BiCS FLASH™
キオクシアのBiCS FLASH™は、3次元（3D）フラッシュメモリセル構造です。この立体構造により、従来の平面(2D)フラッシュメモリに対して、単位面積あたりの容量を超えることができます。キオクシアのTLC 3ビット/セル 1Tb (128GB*1) BiCS FLASH™は業界初*2、書き込み/消去耐久性の信頼性を高め、書き込み速度も向上させました。
- 製品の集積度は、製品内のメモリチップの集積度に基づいており、エンドユーザーがデータ保存に利用できるメモリ容量の量ではありません。消費者が使用できる容量は、データ領域のオーバーヘッド、フォーマット、不良ブロック、その他の制約により少なくなり、また、ホストデバイスやアプリケーションによって異なる可能性があります。詳細については、該当する製品の仕様を参照してください。1Gbの定義 = 230ビット = 1,073,741,824ビット。1GB＝230バイト＝1,073,741,824バイトと定義されています。
- 2007年6月12日発表資料
サポート情報
法人向け製品（メモリ・SSD・SDメモリカード）に関する技術的なご質問、各種資料請求、サンプル・ご購入などは、こちらからお問い合わせください。
キオクシアは2007年に世界で初めて 3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。コスト低減の実現につながったイノベーションポイント、さらなる大容量化への取り組みを紹介します。
キオクシアは1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明しました。フラッシュメモリの構造と、データを記憶するメカニズムを説明します。
「多値化技術」はフラッシュメモリの大容量化を実現する主要技術の1つです。キオクシアは2001年に多値化技術を世界で初めてNAND型フラッシュメモリ製品に導入した1Gbit MLC NAND型フラッシュメモリを製品化しました。
