藤田 忍

半導体メモリアーキテクチャ、特に不揮発メモリを用いたシステム

入社以来、半導体技術トレンドと業界トレンドから将来を先取りする研究開発を意欲的に行っており、情報セキュリティ向け乱数発生半導体の提案、開発、製品化まで、事業部を巻き込み実現してきました。さらに、AI向けに使われているHBM（High Bandwidth Memory）と呼ばれる3Dメモリを研究開発し、制御システムを業界に先んじて提案できたことで、表彰を受けています。加えて、エッジ・IoT等で使われている混載型磁性体メモリMRAMの研究開発で業界を牽引し、MRAM市場トレンドにも影響を与えています。今後、キオクシアの新しいメモリ応用・システムの研究開発に貢献し、若手研究者と連携して新しいメモリ市場を開拓していきます。