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先端技術トピックス
キオクシアで研究開発を進めている最新技術など参考になるトピックスをわかりやすく解説します。
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メモリデバイスの高積層化に伴い、アスペクト比の高い構造を高速にエッチングする技術が欠かせません。主要な役割を担うイオンが引き起こす表面反応をモデル化し、高速エッチングに適したイオン分子組成を予測するシミュレーション技術を開発しました。
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先端メモリ開発では、新たな材料や複雑な3次元デバイス構造の開発が必要とされており、開発を見通し良く、効率的に進展させるため、TCAD(Technology CAD)技術の活用が鍵となっています。
キオクシアの研究部門
豊かで持続的なデジタル社会の実現のため、メモリ技術の革新により、絶え間ない技術探索とその社会実装を目指します。
当社が世界に先駆けて開発した3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の研究開発と量産化の橋渡しを行っています。