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先端技術トピックス
キオクシアで研究開発を進めている最新技術など参考になるトピックスをわかりやすく解説します。
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多結晶金属配線を縮小すると、電気抵抗が断面積の縮小以上に上昇する細線効果が発生します。また、抵抗上昇対策として金属を単結晶化すると、細線効果に結晶方位依存性が発現します。私たちはこの結晶方位依存性を予測するための計算技術の開発に成功しました。そして、この成果はSSDM2024で発表されました。
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メモリデバイスの高積層化に伴い、アスペクト比の高い構造を高速にエッチングする技術が欠かせません。主要な役割を担うイオンが引き起こす表面反応をモデル化し、高速エッチングに適したイオン分子組成を予測するシミュレーション技術を開発しました。
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先端メモリ開発では、新たな材料や複雑な3次元デバイス構造の開発が必要とされており、開発を見通し良く、効率的に進展させるため、TCAD(Technology CAD)技術の活用が鍵となっています。
キオクシアの研究部門
豊かで持続的なデジタル社会の実現のため、メモリ技術の革新により、絶え間ない技術探索とその社会実装を目指します。
当社が世界に先駆けて開発した3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の研究開発と量産化の橋渡しを行っています。
新しいアプリケーション開発を支え様々な技術や製品の潜在能力を引き出すキオクシアのメモリとストレージソリューションを、アプリケーション（用途）別にご紹介します。
半導体メモリやSSDなど、キオクシアの製品や技術に関わる用語を取り上げた技術用語集です。技術者・研究者の方から一般の皆さままでご活用いただけるよう解説しています。
キオクシアでは「記憶」の技術で業界をリードする研究・技術開発体制を敷いています。各拠点を活用し、 オープンイノベーションを推進しながら技術革新を行っています。
