TCAD技術開発

先端メモリ開発では、新たな材料や複雑な3次元デバイス構造の開発が必要とされており、開発を見通し良く、効率的に進展させるため、TCAD(Technology CAD)技術の活用が鍵となっています。

新しい技術課題に対して的確な解決策を提示するためには、まずデバイス動作の基本となるプロセス現象やデバイス動作のモデリングを行います。微視的な電子・原子レベルの現象理解を可能とする第一原理計算等の計算科学シミュレーションを用い、現象理解を確固としたものにします。続いてプロセス・デバイスモデルを、迅速に内製TCADに組み込むシステム開発を行い、ロバストなシミュレーションを可能としています。開発した完成度の高いTCAD技術により、最先端のデバイス・プロセス開発での技術課題に対して解決策を提示しつつ、将来の先端メモリの性能や想定される技術課題を試作前に予測することで、見通しの良い、効率的な先端メモリ開発に大きく貢献しています。