次世代リソグラフィプロセス技術

これまで半導体の回路パターンを形成する光リソグラフィプロセスは回路パターンの微細化要求に応じて、主に波長の短波長化とレンズの口径を大きくする高NA化が進められてきました。さらに、短波長化と高NA化の物理限界に伴い、光リソグラフィを複数回重ねてパターニングするマルチパターニングや極端紫外光によるEUVL(Extreme Ultra-Violet Lithography)へ技術シフトしてきています。しかしながら、工程数増加や装置コストの増大により、半導体プロセスコストの増大が避けられません。この課題を克服する技術として、低コストで微細パターンの形成を可能にするナノインプリント技術に着目して開発を進めています。

ナノインプリント技術は、ナノスケールのパターンが形成された型(テンプレート)をウェハに押印(インプリント)して転写する技術です。ナノインプリント装置は従来の光露光装置で必要であった縮小投影のようなレンズ系光学装置が不要なため低コスト化でき、最先端メモリデバイスへの適用に向けた次世代リソグラフィ技術として期待されています。