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KIOXIA BG6シリーズ（M.2）
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Client NVMe™ SSD
KIOXIA BG6シリーズは当社の第6世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ*を搭載した、最大容量2,048 GBのPCIe® Gen4 x4レーンインターフェイスの小型フォームファクター NVMe™ SSDです。インターフェイススピードの向上およびフラッシュメモリ管理、ホストメモリバッファ（HMB）などの技術改良により、小型フォームファクターSSDとしては高速なシーケンシャルリード最大6,000 MB/s、ランダムリード最大900K IOPSを実現しています。
本製品は256 GB、512 GB、1,024 GB、2,048 GBの4つの容量モデルを提供します。フォームファクターは抜き差し可能なモジュールタイプのM.2 2230およびM.2 2280があります。超薄型PCなど、小型で高速処理が求められる用途に適しています。また、自己暗号化機能（SED, TCG Opal version 2.01）に対応した機種も選択可能です。
- 容量256 GB、512 GBの製品は第5世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ
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主な特長
- キオクシア第6世代BiCS FLASH™ 3次元フラッシュメモリ搭載（容量256 GB、512 GBは第5世代BiCS FLASH™）
- PCIe® 4.0、NVMe™1.4cに対応
- 最大容量2,048 GB
- M.2 Type 2230片面実装フォームファクターとM.2 Type 2280片面実装フォームファクター
- TCG Opal 2.01に対応したSEDオプションモデル
適した用途
- ウルトラモバイルPC
- 2-in-1 ノートPC
製品仕様
※表を左右にスクロールすることができます
| 基本モデル型番 | KBG60ZNS2T04 | KBG60ZNS1T02 | KBG60ZNS512G | KBG60ZNS256G |
|---|---|---|---|---|
| SED モデル型番 | KBG6AZNS2T04 | KBG6AZNS1T02 | KBG6AZNS512G | KBG6AZNS256G |
| 記憶容量 | 2,048 GB | 1,024 GB | 512 GB | 256 GB |
| 基本仕様 | ||||
| フォームファクター | M.2 2230-S3 片面モジュール | M.2 2230-S2 片面モジュール | ||
| インターフェイス | PCIe® 4.0, NVMe™ 1.4c | |||
| 最大インターフェイススピード | 64 GT/s (PCIe® Gen4 x4) | |||
| フラッシュメモリタイプ | BiCS FLASH™ TLC | |||
| 最大性能 | ||||
| シーケンシャルリード | 6,000 MB/s | 4,800 MB/s | 4,400 MB/s | |
| シーケンシャルライト | 5,300 MB/s | 5,000 MB/s | 4,000 MB/s | 3,000 MB/s |
| ランダムリード | 900K IOPS | 650K IOPS | 350K IOPS | |
| ランダムライト | 900K IOPS | 850K IOPS | 700K IOPS | |
| 電源要件 | ||||
| 電源範囲 | 3.3 V ± 5 % | |||
| 消費電力 (アクティブ) | 4.4 W typ. | 4.3 W typ. | 4.7 W typ. | 4.3 W typ. |
| 消費電力 (L1.2モード) | 3.0 mW typ. | |||
| 信頼性 | ||||
| MTTF | 1,500,000 hours | |||
| TBW | 1,200 | 600 | 300 | 150 |
| 寸法 | ||||
| 厚さ | 2.38 mm Max | 2.23 mm Max | ||
| 幅 | 22 ｍｍ ± 0.15 mm | |||
| 長さ | 30 ｍｍ ± 0.15 mm | |||
| 重量 | 3.0 g Max | 2.9 g Max | 2.8 g Max | 2.7 g Max |
| 環境特性 | ||||
| 温度範囲 (動作時) | 0 ℃ to 95 ℃ (コントローラの表面温度) | |||
| 温度範囲 (動作時) | 0 ℃ to 85 ℃ (ほかの部品の表面温度) | |||
| 温度範囲 (非動作時) | -40 ℃ to 85 ℃ | |||
| 相対湿度 (動作時) | 0 % to 90 % R.H. | |||
| 耐振動性 (動作時) | 196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 to 2,000 Hz ) | |||
| 耐衝撃性 (動作時) | 14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms ) | |||
※表を左右にスクロールすることができます
| 基本モデル型番 | KBG60ZNV2T04 | KBG60ZNV1T02 | KBG60ZNV512G | KBG60ZNV256G |
|---|---|---|---|---|
| SED モデル型番 | KBG6AZNV2T04 | KBG6AZNV1T02 | KBG6AZNV512G | KBG6AZNV256G |
| 記憶容量 | 2,048 GB | 1,024 GB | 512 GB | 256 GB |
| 基本仕様 | ||||
| フォームファクター | M.2 2280-S3 片面モジュール | M.2 2280-S2 片面モジュール | ||
| インターフェイス | PCIe® 4.0, NVMe™ 1.4c | |||
| 最大インターフェイススピード | 64 GT/s (PCIe® Gen4 x4) | |||
| フラッシュメモリタイプ | BiCS FLASH™ TLC | |||
| 最大性能 | ||||
| シーケンシャルリード | 6,000 MB/s | 4,800 MB/s | 4,400 MB/s | |
| シーケンシャルライト | 5,300 MB/s | 5,000 MB/s | 4,000 MB/s | 3,000 MB/s |
| ランダムリード | 900K IOPS | 650K IOPS | 350K IOPS | |
| ランダムライト | 900K IOPS | 850K IOPS | 700K IOPS | |
| 電源要件 | ||||
| 電源範囲 | 3.3 V ± 5 % | |||
| 消費電力 (アクティブ) | 4.4 W typ. | 4.3 W typ. | 4.7 W typ. | 4.3 W typ. |
| 消費電力 (L1.2モード) | 3.0 mW typ. | |||
| 信頼性 | ||||
| MTTF | 1,500,000 hours | |||
| TBW | 1,200 | 600 | 300 | 150 |
| 寸法 | ||||
| 厚さ | 2.38 mm Max | 2.23 mm Max | ||
| 幅 | 22 ｍｍ ± 0.15 mm | |||
| 長さ | 80 ｍｍ ± 0.15 mm | |||
| 重量 | 6.0 g Max | 5.9 g Max | 5.8 g Max | 5.7 g Max |
| 環境特性 | ||||
| 温度範囲 (動作時) | 0 ℃ to 95 ℃ (コントローラの表面温度) | |||
| 温度範囲 (動作時) | 0 ℃ to 85 ℃ (ほかの部品の表面温度) | |||
| 温度範囲 (非動作時) | -40 ℃ to 85 ℃ | |||
| 相対湿度 (動作時) | 0 % to 90 % R.H. | |||
| 耐振動性 (動作時) | 196 m/s2 { 20 Grms } ( 20 to 2,000 Hz ) | |||
| 耐衝撃性 (動作時) | 14.7 km/s2 { 1,500 G } ( 0.5 ms ) | |||
- 写真は掲載時におけるイメージです。
- 自己暗号化機能付きモデル (SED) のラインアップは、地域によって異なります。
- 記憶容量：1 MB (1メガバイト) ＝1,000,000 (10の6乗) バイト、1 GB (1ギガバイト) ＝1,000,000,000 (10の9乗) バイト、1 TB (1テラバイト) ＝1,000,000,000,000 (10の12乗) バイトによる算出値です。しかし、1 GB=1,073,741,824 (2の30乗) バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載よりも少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステムおよびその他の要因で変わります。
- IOPS: Input Output Per Second (1秒間に読み書きできる回数)
- TBW： Terabytes Written。定格寿命における総書き込み容量をテラバイトで表したもの。
- 読み出しおよび書き込み速度は、ホストメモリバッファ (HMB) 機能が「On」状態時の性能です。
- 読み出しおよび書き込み速度は、ホストシステム、読み書き条件、ファイルサイズなどによって変化します。
- MTTF (平均故障時間) は製品寿命の保証や目安ではなく、製品の平均故障率から統計的に算出したものです。 実際の稼働時間はシステム構成、使用法、その他の要因により異なる場合があります。
- PCIeはPCI-SIGの商標です。
- NVMeは、NVM Express, Inc.の米国またはその他の国における登録商標または商標です。
- 記載されている情報は、予告なく変更されることがあります。
サポート情報
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キオクシアはフラッシュメモリとSSDのリーディングカンパニーとして、情報社会を支える研究・技術開発を行っています。
