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OEM・産業向けRAW SLC NANDフラッシュメモリ
SLC：高信頼性、高性能という選択肢
1セルあたり1ビットの不揮発性メモリで、大容量のデータを高速に書き込み、高い書き込み/消去サイクル耐久性、幅広い動作温度範囲、高い信頼性を特徴としています。さらに、NORフラッシュメモリと比較して、高容量デバイスのコストダウンが可能です。これらの特徴により、SLC (single-level cell) NANDフラッシュメモリは民生用から産業用まで幅広い用途で採用されています。
RAW SLC NANDフラッシュメモリの主な特徴
- 24nmプロセス技術
- 高性能・高信頼性
- 産業用温度範囲対応
- 3Vと1.8VのVCCオプション対応
- BGA*1パッケージ (6.5 x 8 mm / 9 x 11 mm) / TSOP*2 (12 x 20 mm)
- 高速データ読み出し/書き込み
- 高書き込み/消去サイクル耐久性
- BGA (Ball Grid Array)
- TSOP (Thin Small Outline Package)
RAW SLC NANDフラッシュメモリのキーテクノロジー
幅広い容量と動作温度
キオクシアは幅広い容量のSLC NANDフラッシュメモリを準備しております。動作温度範囲は民生用温度品(0℃ ~ 70℃)と産業用温度品(-40℃ ~ 85℃)からお選びいただけます。
高信頼性、高性能
1ビット/セルのSLC NANDフラッシュメモリは、多ビット/セル（MLC/TLC/QLC）メモリより優れた書き込み/消去サイクル耐久性を実現します。
24nmプロセス技術採用
キオクシアのSLC NANDフラッシュメモリは24nmプロセスを用い、信頼性と供給面を両立します。
RAW SLC (single-level cell) NANDの主な用途
ゲーム機器 / スマートテレビ / バーチャルリアリティヘッドセット / セットトップボックス / ビデオレコーダ / スマートスピーカー / スマートホーム / ウェアラブル機器 / 健康管理機器 / ホームネットワーキング
オートメーション / デジタルヘルスケア / 交通運輸 / 監視カメラ / ロボット / ドローン / セキュリティ / デジタルサイネージ / ネットワーク（5Gエリアネットワーク） / POS（Point of Sales)
ドキュメント
製品ラインアップ
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32 Gb* |
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詳細な製品ラインアップやデータシートについては、上記の各アイテムをクリックしてください。
- 32Gb製品をご希望の際は、営業にお問い合わせください。
以下ページより全てのSLC NANDフラッシュメモリ製品から特性別にお探しいただけます。
サポート情報
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キオクシアは2007年に世界で初めて 3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。コスト低減の実現につながったイノベーションポイント、さらなる大容量化への取り組みを紹介します。
キオクシアは1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明しました。フラッシュメモリの構造と、データを記憶するメカニズムを説明します。
「多値化技術」はフラッシュメモリの大容量化を実現する主要技術の1つです。キオクシアは2001年に多値化技術を世界で初めてNAND型フラッシュメモリ製品に導入した1Gbit MLC NAND型フラッシュメモリを製品化しました。
