車載用UFS 3.1 / 2.1 & e-MMC

車載用UFS 3.1 / 2.1およびe-MMCの要件

  • IATF16949に準拠
  • 車載部品規格への適合（AEC-Q100環境ストレス試験認定基準など）
  • PPAP（製造部品承認プロセス）対応
  • 広温度範囲（-40°C〜+105°Cなど)に対応
  • 低不良率
  • 車載グレードではないものと比較して、PCN（製品仕様変更通知）のリードタイムが長い
  • 車載機器に求められる機能（ハンダ接合部の信頼性向上、チップの設定温度超過時の対策など）

車載用UFS(1) 3.1 / 2.1

容量：32GB、64GB、128GB、256GB、512GB

車載用e-MMC(2)

容量：8GB、16GB、32GB、64GB、128GB、256GB

モビリティの新時代に向けた車載用UFS 4.0

キオクシアの車載用UFS 4.0は、ますます高度になる車載アプリケーションをサポートする拡張機能を提供します。最大46.4Gbpsのインターフェース速度と幅広い容量ラインアップを備え、次世代の複雑な車載アプリケーションのニーズに応えていきます。 

車載用UFS 4.0をもっと知る

市場はe-MMC（パラレルインターフェース）からUFS（シリアルインターフェース）へ

UFSは、e-MMCに取って代わる高性能ストレージとしてJEDECにて規格化されました。現在UFSは、スマートフォン向けストレージとして主流であり、車載機器やその他の用途にも採用が広がっています。最終的には、車載機器向けストレージソリューションとしても、UFSがe-MMCに代わって主流になります。

UFSのマーケットトレンド

UFSはe-MMCに代わる高速なJEDEC規格です。スマートフォンはその性能の高さからUFSを採用し始めました。車載用も同様にUFSの採用が見込まれています。

UFSの魅力

簡単に言えば、UFSはe-MMCの後継規格。すでに性能面でe-MMCを大きく上回っていますが、今後、その差はますます開いていきます。

e-MMCと比較したUFSのメリット

  • 高速なインターフェース
  • 優れた読み出し・書き込み性能
  • 大容量に対応
  • 省電力性

ブートタイムの比較（64MBデータ出力時）

大容量ブートデータによるブートタイムの短縮は、車載アプリケーションにUFSを採用する大きな動機の1つです。

UFSは、高速シーケンシャルリードにより、他のストレージデバイスよりも起動時間を短縮することができます。

車載信頼性を支える多彩な車載用UFSの機能

  • 熱制御機構：デバイスの温度が105°Cを超えると、デバイスのパフォーマンスが低下し、ホストプロセッサに通知してアクションを要求します。
  • 高度な自己診断機能：UFSコントローラがWrite/Eraseサイクル、現在のデバイス温度などの状況をモニターし、ホストプロセッサに機器の状況を通知します。
  • リフレッシュ機能：劣化したデータをリフレッシュし、データの信頼性を保ちます。

当社は、2013年に業界で初めて※UFS規格対応製品のサンプル出荷を果たすなど、いち早くUFSの開発に取り組んできました。
今後も車載機器の未来を切り拓いていきます。

※キオクシア調べ （2013年2月8日時点）

車載用UFS 3.1 / 2.1仕様

AEC-Q100グレード2(3)対応

※表を左右にスクロールすることができます。

容量 品番 UFS
version		 最大転送速度
（MB/s）		 電源電圧 動作
温度
(°C) (4)		 パッケージサイズ
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
32GB THGAFBG8T13BAB7(6) 2.1 1160 2.7 to 3.6 - (7) 1.70 to 1.95 -40 to 105 11.5x13.0x1.0
THGAFEG8T13BAB7
64GB THGAFBG9T23BAB8(6) 11.5x13.0x1.2
THGAFEG9T23BAB8
128GB THGAFBT0T43BAB8(6)
THGAFET0T43BAB8
256GB THGAFBT1T83BAB5(6) 11.5x13.0x1.3
THGAFET1T83BAB5
64GB THGJFGG9T15BAB8 3.1 2320 2.4 to 2.7,
2.7 to 3.6		 1.14 to 1.26 - (8) -40 to 105 11.5x13.0x1.2
128GB THGJFGT0T25BAB8
256GB THGJFGT1T45BAB8
512GB THGJFGT2T85BAB5 11.5x13.0x1.3

AEC-Q100グレード3対応

※表を左右にスクロールすることができます。

容量 品番 UFS
version		 最大転送速度
（MB/s）		 電源電圧 動作
温度
(°C) (5)		 パッケージサイズ
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)		 VCCQ2
(V)
64GB THGJFGG9T15BAA8 3.1 2320 2.4 to 2.7,
2.7 to 3.6		 1.14 to 1.26 - (8) -40 to 85 11.5x13.0x1.2
128GB THGJFGT0T25BAA8
256GB THGJFGT1T45BAA8
512GB THGJFGT2T85BAA5 11.5x13.0x1.3

車載用e-MMC仕様

AEC-Q100グレード2対応

※表を左右にスクロールすることができます。

容量 品番 e-MMC
version		 最大転送速度
（MB/s）		 電源電圧 動作
温度
(°C) (4)		 パッケージサイズ
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)
8GB THGBMJG6C1LBAC7 5.1 400 2.7 to 3.6 1.70 to 1.95,
2.7 to 3.6		 -40 to 105 11.5x13.0x1.0
16GB THGBMJG7C2LBAC8 11.5x13.0x1.2
32GB THGBMJG8C4LBAC8
64GB THGBMJG9C8LBAC8
32GB THGAMVG8T13BAB7 1.70 to 1.95 11.5x13.0x1.0
64GB THGAMVG9T23BAB8 11.5x13.0x1.2
128GB THGAMVT0T43BAB8
256GB THGAMVT1T83BAB5 11.5x13.0x1.3

AEC-Q100グレード3対応

※表を左右にスクロールすることができます。

容量 品番 e-MMC
version		 最大転送速度
（MB/s）		 電源電圧 動作
温度
(℃)		 パッケージサイズ
(mm)
VCC
(V)		 VCCQ
(V)
32GB THGAMVG8T13BAA7 5.1 400 2.7 to 3.6 1.70 to 1.95 -40 to 85 11.5x13.0x1.0
64GB THGAMVG9T23BAA8 11.5x13.0x1.2
128GB THGAMVT0T43BAA8
256GB THGAMVT1T83BAA5 11.5x13.0x1.3
  1. UFS（Universal Flash Storage）は、JEDEC UFS標準仕様に基づいて設計された組み込み型メモリ製品に分類されます。
  2. e-MMCは、JEDEC e-MMC標準仕様に基づいて設計された組み込み型メモリ製品に分類されます。
  3. AEC（Automotive Electronics Council）が規定する車載用電子部品品質認定要件
  4. Tc=115℃ max.
  5. Tc=95℃ max.
  6. プリロードの最大容量は、ユーザー領域の容量の約25%を上限とします。
  7. 本製品はVCC、VCCQ2による2電源動作に対応しています。VCCQを供給する必要はありません。
  8. 本製品はVCC、VCCQによる2電源動作に対応しています。VCCQ2を供給する必要はありません。

 

  • 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。 メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（メモリ容量は1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）

サポート情報

お問い合わせ
法人のお客様向け製品のお問い合わせ

法人向け製品（メモリ・SSD・SDメモリカード）に関する技術的なご質問、各種資料請求、サンプル・ご購入などは、こちらからお問い合わせください。

関連リンク

3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」とは

キオクシアは2007年に世界で初めて 3次元フラッシュメモリ技術を発表しました。コスト低減の実現につながったイノベーションポイント、さらなる大容量化への取り組みを紹介します。

NAND型フラッシュメモリとは

キオクシアは1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明しました。フラッシュメモリの構造と、データを記憶するメカニズムを説明します。

フラッシュメモリの大容量化を実現する「多値化技術」とは

「多値化技術」はフラッシュメモリの大容量化を実現する主要技術の1つです。キオクシアは2001年に多値化技術を世界で初めてNAND型フラッシュメモリ製品に導入した1Gbit MLC NAND型フラッシュメモリを製品化しました。