フラッシュメモリは、データを保存するためにスマートフォン・ゲーム・カーナビゲーションやクラウドサーバなど様々な情報機器やIT産業で使われています。多くのデータをより小さい形で保存したい、という需要を実現するには、記憶密度を⾼めたフラッシュメモリの開発が重要です。2次元のNAND型フラッシュメモリの場合、微細化技術を中⼼に、15nmのメモリセルを開発し、その実現に寄与してきました。しかしながら技術的な限界を迎え、3次元に⾼密度(多層)化したのがBiCS FLASHです。最新の96層BiCS FLASHは、512ギガビット容量を1円玉より小さい幅約12mmのChipで実現しています。そして、前世代の64層に⽐べ、 約50% のビット密度増加を実現しています。BiCS FLASH開発では、更なる⾼層化の技術開発も進めており、情報爆発に伴う急激なメモリ需要を今後も⽀えていきます。

第4世代BiCS™の電子顕微鏡像
NAND FLASHのロードマップ