業界初のQLC技術を採用したUFS4.0フラッシュメモリ製品の量産を開始

ビット密度を向上させた512GB QLC UFSデバイス

  • 2024年10月30日
  • キオクシア株式会社

キオクシア株式会社は、業界初注1のQLC（Quadruple-level cell、4ビット/セル）技術を採用したUFS注2 4.0組み込み式フラッシュメモリ製品の量産を開始しました。QLC UFSは、従来のTLC UFSよりもビット密度が高く、大容量が求められるモバイル・アプリケーションに適しており、コントローラー技術とエラー訂正の進歩により、QLCを用いた性能と容量の高いバランスを実現しました。当社の新しい512GB QLC UFSは、UFS 4.0インターフェース速度をフルに活用し、最大4,200MB/sのシーケンシャルリード性能と最大3,200MB/sのシーケンシャルライト性能を達成しました。

QLC UFS 4.0組み込み式フラッシュメモリ製品

当社のQLC UFSは、スマートフォンやタブレットだけでなく、PC、ネットワーク機器、AR/VR、AIなど、より大容量で高性能が必要とされる次世代アプリケーションにも適しています。

新しいQLC UFS 4.0対応製品は、キオクシアの3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」とコントローラーをJEDEC規格のパッケージに収めたものです。MIPI M-PHY 5.0とUniPro 2.0に対応し、理論上1レーンあたり最大23.2Gbps、デバイスあたり最大46.4Gbpsのインターフェース速度をサポートします。また、UFS 4.0は、UFS 3.1と下位互換性があります。
 

新製品の主な仕様：

  • High Speed Link Startup Sequence (HS-LSS) をサポート：従来のUFSではデバイスとホストのLink Startup (M-PHYおよびUniProの初期化シーケンス) を低速のPWM-G1 (3~9Mbps注3) で行っていましたが、HS-LSSを使用することでより高速なHS-G1 Rate A (1,248Mbps) で行うことができます。これによりLink Startupにかかる時間を従来に比べて約70%短くすることが可能になります。
  • セキュリティー機能の強化：RPMB (Replay Protected Memory Block)領域にあるユーザー認証情報など、セキュリティーが必要なデータへの読み書きを高速化するAdvanced RPMBや、無効化されたセキュリティーデータを迅速に消去するRPMB Purgeをサポートします。
  • Extended Initiator ID (Ext-IID)をサポート：UFS 4.0ホストコントローラーのMCQ（Multi Circular Queue）と併用し、ランダム性能を向上させることが可能です。

 

  1. 2024年10月30日　キオクシア株式会社調べ。
  2. UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
  3. PWM-G1の通信速度は使用する機器等の条件によって異なります。
  • 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（メモリ容量は1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）
  • 1Gbpsを1,000,000,000ビット/秒として計算しています。リードおよびライト性能はキオクシアの試験環境で特定の条件により得られた最良の値であり、ご使用機器での速度を保証するものではありません。リード及びライト性能は使用する機器等の条件により異なります。
 
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