UFS Ver. 3.1に準拠した組み込み式フラッシュメモリのサンプル出荷について

5G対応の次世代モバイル機器などに求められる低消費電力で高性能な機能を実現

  • 2020年 2月27日
  • キオクシア株式会社

当社は、2020年1月に発表された最新のJEDEC UFS[1] Version 3.1インターフェースに準拠した組込み式フラッシュメモリ（UFS製品）を開発し、本日からサンプル出荷を開始します[2]。

UFS Ver. 3.1に準拠した組み込み式フラッシュメモリ

新製品は、11.5mm x 13.0mmのパッケージに当社の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」とコントローラーチップを一体化した制御機能付きの組み込み式フラッシュメモリ製品です。5G対応の次世代モバイル機器など、低消費電力で高性能な機能が求められる応用機器に適応するためのさまざまな新技術を備え、128GB、256GB、512GB、1TB[3]の４種類の容量ラインアップをそろえます。

また、新製品はコントローラーでエラー訂正、ウェアレベリング、論理-物理アドレス変換、不良ブロックの管理などの制御機能を行うため、ユーザーの開発負荷を軽減することが可能です。

新製品の主な特長：( (*)：Ver.　3.1からの新機能)

  • WriteBooster機能(*)により、通常のシーケンシャルライト性能に比べて約２～３倍の速度を実現しました。
  • シーケンシャルリード性能は、当社従来品（Ver. 3.0）に比べて約30％向上しています。
  • Host Performance Booster (HPB) Ver.1.0機能（Ver.3.1の拡張仕様）を搭載することにより、ホスト側のメモリを活用し、ランダムリード性能を改善しました。
  • UFS-DeepSleep Power Mode(*)では、Sleep Power Modeと比較して低消費電力を実現しています。
  • パフォーマンススロットリングイベント通知機能により、内部温度が上限に達した場合、オーバーヒートの抑制や内部デバイスへのダメージ軽減が可能になります。

[注1]　 UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
[注2] 　本日から256GB製品のサンプル出荷を開始し、3月以降順次出荷を拡大していく予定です。なお、サンプル出荷品は量産時と仕様が異なる場合があります。
[注3] 　本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。

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