業界初、UFS Ver. 3.0準拠の組み込み式フラッシュメモリの出荷について

モバイル機器などに求められる高速のリード・ライト性能や低消費電力を実現する大容量ストレージ

  • 2019年 1月23日
  • 東芝メモリ株式会社

当社は、業界で初めて[注1] JEDEC UFS[注2] Ver. 3.0インターフェースに準拠した組み込み式フラッシュメモリ（UFS製品）を開発し、本日からサンプル出荷を開始します[注3]。新製品は当社最新の、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を搭載し、512GB[注4]、256GB、128GBの3つの容量タイプをラインアップします。高速のリード・ライト性能や低消費電力が求められるスマートフォン、タブレットなどのモバイル機器や、VR/AR[注5]用機器などのストレージ製品として対応可能です。

業界初、UFS Ver. 3.0準拠の組み込み式フラッシュメモリ

新製品は、11.5mm x 13.0mmのパッケージにフラッシュメモリチップとコントローラーを内蔵した制御機能付きの組み込み式フラッシュメモリ製品です。コントローラーでエラー訂正、ウェアレベリング、論理-物理アドレス変換、不良ブロックの管理などの制御機能を行い、ユーザーの開発負荷を軽減することが可能です。

また、新製品はJEDEC UFS Ver. 3.0規格に準拠し、消費電力の増加を抑制しながら最大11.6Gbps (2 laneモード設定時では23.2Gbps) のインターフェーススピードを実現するHS-GEAR4に対応しています。512GBの製品では、シーケンシャルリードおよびライト性能は当社前世代製品[注6]と比べてそれぞれ約70％、約80％向上しています。

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[注1] 2019 年 1 月 23 日現在。東芝メモリ株式会社調べ。
[注2] UFS (Universal Flash Storage)：JEDECが規定する組み込み式フラッシュストレージの標準規格。シリアルインターフェースを採用し、全二重通信を用いているため、ホスト機器との間でのリード・ライトの同時動作が可能。
[注3] 本日から128GBの製品のサンプル出荷を開始し、3月以降順次出荷を拡大していく予定です。なお、サンプル出荷品は量産時と仕様が異なる場合があります。
[注4] 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）
[注5] Virtual Reality：仮想現実、Augmented Reality：拡張現実
[注6] 当社前世代256GBの製品「THGAF8T1T83BAIR」

お客様からの製品に関するお問い合わせ先：
東芝メモリ株式会社
販売推進統括部
Tel：03-6478-2423
https://www.kioxia.com/ja-jp/contact.html

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