NVM Expressに対応した3シリーズのSSDの製品化について

  • 2015年 8月11日
  • 株式会社東芝

当社は、NVMe™(NVM Express™)に対応したPCIe® (PCI Express®)インターフェースのSSDとして、「XG3シリーズ」、「BG1シリーズ」、「PX04Pシリーズ」の3シリーズを製品化し、2015年第4四半期(10月~12月)から順次サンプル出荷を開始します。

新製品は当社で初めて、コマンド・インターフェースにNVMe(NVM Express)を採用しています。NVMeはPCIe SSD向けに最適化されたストレージ・インターフェース・プロトコルであり、PCIe SSDのパフォーマンスを最大限に引き出すことができます。

「XG3シリーズ」は高性能なノートPCに適したクライアントシステム向けのSSDで、PCIe Gen3 x 4レーンを採用することにより、最大32 GT/s[注1]となる高速データ転送を可能としています。フォームファクタは2.5型 SATA ExpressとM.2 Type 2280をラインアップし、最大1024 GB[注2]の大容量を実現しました。応用分野の拡大により多様化する要求に柔軟に対応します。

「BG1シリーズ」はNAND型フラッシュメモリとコントローラーをシングルパッケージに収めた世界最小[注3]のPCIe NVMeインターフェース対応のクライアントシステム向けのSSDです。2 in 1などの薄型ノートPCに適しています。本製品では16mm×20mm(M.2 Type 1620)のパッケージサイズで最大容量256GBを実現しています。また、「BG1シリーズ」ではシングルパッケージSSDを小型の基板に搭載したM.2 Type 2230、従来の環境でも使用できるM.2 Type 2280をラインアップしています。

NVMe対応SSDの製品写真です。

「PX04Pシリーズ」はサーバー・ストレージシステム向けに開発したSSDです。2.5型とHHHL(Half Height Half Length)のアドイン・カードタイプの二つの形状を用意し、最大3.2 TBの容量を実現しました。このシリーズの通常の消費電力は18 Wですが、ユーザーの使用環境に合わせて12 Wまで低減させ、消費電力と性能のバランスを最適化する拡張性も持っています。
また、「XG3シリーズ」と「PX04Pシリーズ」には、当社独自の誤り訂正技術である「QSBC™」[注4]を採用しています。複数のエラー訂正回路で、SSD内部で発生するさまざまなエラーに適切に対処することで、効率的でより精度の高い処理を実現しています。また、「XG3シリーズ」と「BG1シリーズ」は当社製品として初めてTCG Pyriteに対応しています。
当社は、今後もSSDのラインアップを強化し、多種多様なユーザーニーズに応えると共に、拡大を続けるSSD市場を喚起、牽引していきます。

新製品の主な仕様

XG3シリーズ

※表を左右にスクロールすることができます。

フォームファクタ 2.5型 7.0 mm厚ケース

M.2 Type 2280

片面モジュール

M.2 Type 2280

両面モジュール

型名 Non-SED モデル

THNSN5xxxGCJ7
(128/256/512 GB)

THNSN51T02CJ7 (1024 GB)

THNSN5xxxGPU7 THNSN51T02DU7
コネクタタイプ SATA Express M.2 M M.2 M
記録容量 128/256/512/1024 GB 128/256/512 GB 1024 GB
性能[注5]

シーケンシャルリード (Max.): 2400 MiB/s[注6]{2516 MB/s}

シーケンシャルライト (Max.): 1500 MiB/s {1572 MB/s}

インターフェース PCI Express Base Specification Revision 3.1 (PCIe)
  最高転送速度 16 GT/s (PCIe Gen3×2 Lane) 32 GT/s (PCIe Gen3×4 Lane)
コマンド NVM Express Revision 1.1b (NVMe)
外形寸法 L 100.0 mm 80.00 mm 80.00 mm
W 69.85 mm 22.00 mm 22.00 mm
H 7.00 mm 2.15 mm 3.50 mm

BG1シリーズ

※表を左右にスクロールすることができます。

フォームファクタ

M.2 Type 1620

シングルパッケージ

M.2 Type 2230

片面モジュール

M.2 Type 2280

片面モジュール

型名 Non-SED モデル THNSNNxxxGTY7 THNSNNxxxGSX7 THNSNNxxxGVX7
コネクタタイプ - M.2 B-M M.2 B-M
記録容量 128/256 GB
性能[注7]

シーケンシャルリード (Max.): 715 MiB/s {750 MB/s}

シーケンシャルライト (Max.): 228 MiB/s {240 MB/s}

インターフェース PCI Express Base Specification Revision 3.0 (PCIe)
  最高転送速度 10 GT/s (PCIe Gen2×2 Lane)
コマンド NVM Express Revision 1.1a (NVMe)
外形寸法 L 20.0 mm 30.0 mm 80.00 mm
W 16.0 mm 22.0 mm 22.00 mm
H 1.4 mm (128 GB)
1.65 mm (256 GB)
2.2 mm (128 GB)
2.45 mm (256 GB)
2.2 mm (128 GB)
2.45mm (256 GB)

PX04Pシリーズ

※表を左右にスクロールすることができます。

フォームファクタ 2.5型15mm厚ケース Add-In Card
型名 Non-SED モデル PX04PMB080 / PX04PMB160 / PX04PMB320 PX04PMC080 / PX04PMC160 / PX04PMC320
記録容量 800/1600/3200 GB
性能 シーケンシャルリード (Max.): 3100 MiB/s {3250 MB/s}
シーケンシャルライト (Max.): 2350 MiB/s {2464 MB/s}
インターフェース PCI Express Base Specification Revision 3.0 (PCIe)
  最高転送速度 32 GT/s (PCIe Gen3×4 Lane)
コマンド NVM Express Revision 1.0e (NVMe)
DWPD[注8] 10
外形寸法 L 100.45mm 167.52mm
W 69.85mm 18.73mm
H 15.0mm 68.77mm
  • 製品仕様は予告なく変更する場合があります。
  • 型名中の「xxx」の部分は製品の記憶容量を示します。(例 256: 256GB)
  • NVMeおよびNVM ExpressはNVM Express, Inc.の商標です。
  • PCIeおよびPCI ExpressはPCI-SIGの商標です。

[注1]Giga Transfers per second。実効データのみの転送速度を表しています。
[注2] 記憶容量:1MB (1メガバイト)=1,000,000(10の6乗)バイト、1GB (1ギガバイト)=1,000,000,000(10の9乗)バ イト、1TB (1テラバイト)=1,000,000,000,000(10の12乗)バイトによる算出値です。しかし、1GB=1,073,471,824 (2の30乗)バイトによる算出値をドライブ容量として用いるコンピューターオペレーティングシステムでは、記載より も少ない容量がドライブ容量として表示されます。ドライブ容量は、ファイルサイズ、フォーマット、セッティング、ソフトウェア、オペレーティングシステム およびその他の要因で変わります。
[注3]2015年8月11日現在、東芝調べ。
[注4]Quadruple Swing-By Code。QSBCは株式会社東芝の商標です。
[注5] M.2 Type 2280(1024GB)に対して、128KiB単位でリード/ライトを実施した際の性能です。性能はフォームファクタや容量によって異なります。
[注6] 1メビバイト(MiB)は1,048,576バイト(2の20乗)として計算しています。
[注7]M.2 Type 2230(256GB)に対して、128KiB単位でリード/ライトを実施した際の性能です。性能はフォームファクタや容量によって異なります。
[注8]DWPD (Drive Write Per Day): 1日あたりのデータ書き換え容量の上限。

東芝SSD製品については下記ページをご覧ください。
http://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/storage-products.html

お客様からの製品に関するお問い合わせ先:
「XG3シリーズ」と「BG1シリーズ」:
cSSD営業推進部
「PX04Pシリーズ」:
ストレージプロダクツ事業部
https://www.kioxia.com/ja-jp/contact.html

 

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