世界最小クラスの組込み式NAND型フラッシュメモリの発売について

最先端の15nmプロセスのNAND型フラッシュメモリチップを使用

  • 2014年10月2日
  • 株式会社東芝
NAND型フラッシュメモリの写真

当社は、スマートフォンやタブレット、ウエアラブル端末向けに、最先端の15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップを採用した、世界最小クラス注1の組込み式NAND型フラッシュメモリ（e･MMC™注2）を製品化しました。16GBの製品を本日からサンプル出荷し、8GB､32GB､64GB､128GBの製品も今後順次サンプル出荷していく予定です。

新製品は、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリチップとコントローラチップを一体化した制御機能付の組込み式NAND型フラッシュメモリです。最先端プロセスを採用したNAND型フラッシュメモリチップを使用することにより、従来製品注3に比べてパッケージサイズ面積が約26%小型化注4しました。

NAND型フラッシュメモリチップの基本性能の向上やコントローラ処理の最適化などにより、読み出し・書き込み性能の向上を図っており、従来製品に比べて読み出し速度が最大約8%、書き込み速度が最大約20%高速化注５しました。

当社は、NAND型フラッシュメモリがスマートフォンやタブレットなどを中心に需要が増加傾向にあり、中長期的にも市場拡大が見込まれると考えています。今後も高性能で大容量のメモリ製品のラインアップを強化し市場におけるリーダシップを堅持していきます。

注1　2014年10月2日現在。　当社調べ。128GBのモデルを除く。
注2　embedded MultiMediaCard 。JEDECの規格に準拠した組込みメモリで、JEDEC Solid State Technology Associationの商標です。
注3　19nm第二世代プロセスを用いた高速クラスの組込み式ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（e･MMC TM）。
注4　128GBのモデルを除く。
注5　読出し速度はSupreme 16GB、32GB、64GBの書き込み速度は8GBの従来製品との比較。

新製品の概要　

※表を左右にスクロールすることができます

型名

容量

カテゴリ注6

パッケージ

量産時期

THGBMFG6C1LBAIL

8GB

Supreme

11.5x13x0.8mm

2015年4-6月期

THGBMFG6C1LBAIT

8GB

Supreme

11x10x0.8mm

2015年4-6月期

THGBMFG7C2LBAIL

16GB

Supreme

11.5x13x0.8mm

2015年1-3月期

THGBMFG7C2LBAIW

16GB

Supreme

11x10x1.0mm

2015年1-3月期

THGBMFG7C1LBAIL

16GB

Premium

11.5x13x0.8mm

2015年1-3月期

THGBMFG8C4LBAIR

32GB

Supreme

11.5x13x1.0mm

2015年1-3月期

THGBMFG8C4LBAIW

32GB

Supreme

11x10x1.0mm

2015年1-3月期

THGBMFG8C2LBAIL

32GB

Premium

11.5x13x0.8mm

2015年1-3月期

THGBMFG9C8LBAIG

64GB

Supreme

11.5x13x1.2mm

2015年1-3月期

THGBMFG9C8LBAIX

64GB

Supreme

11x10x1.2mm

2015年1-3月期

THGBMFG9C4LBAIR

64GB

Premium

11.5x13x1.0mm

2015年1-3月期

THGBMFT0CBLBAIS

128GB

Supreme

11.5x13x1.4mm

2015年4-6月期

注6　当社e･MMC™製品のカテゴリで、Supremeはハイエンドクラス、Premiumはミドル・ローエンドクラスに適した製品群です。

新製品の主な特長　

1. NAND型フラッシュメモリの制御機能を搭載
新製品は、NAND型フラッシュメモリの制御機能（書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど）を搭載しており、ユーザー側での開発負荷が軽減され、システム開発期間の短縮につながります。また、BKOPS制御、キャッシュバリア、キャッシュフラッシングレポート、ラージRPMBライトなどの新規機能注７に対応し、ユーザーの使い勝手を良くするよう配慮しています。

注7　BKOPS制御はバックグラウンドオペレーションをデバイスの待機時間に実行する機能、キャッシュバリアはキャッシュに入っているデータをメモリチップに書き込むタイミングを制御する機能、キャッシュフラッシングレポートはデバイスのデータ書き込み順番がFIFOであるかどうかを通知する機能、ラージRPMBライトはRPMB領域に書き込めるデータサイズを8kBに拡大する機能。

2. 小型化と高速化を実現
11mm×10mmの小型FBGAパッケージを8GBから64GBまでの製品に採用しており、ウエアラブル端末や小型軽量化が求められるスマートフォンやタブレットへの搭載に適しています。読み出し・書き込み性能の向上を図っており、従来製品に比べて読み出し速度が最大約8%、書き込み速度が最大約20%高速化しました。

3. 大容量データの記録が可能
128GBモデルでは、ＨＤ画質動画で約16.3時間、SD画質動画で約39.7時間、ワンセグでは約668時間の映像データ注8の記録が可能です。

注8　各平均ビットレートは、HD画質 約17Mbps、SD画質 約7Mbps、ワンセグ(QVGA) 約416Kbpsで計算。

新製品の主な仕様　

インターフェース

JEDEC e･MMC™ Version 5.0規格準拠
HS-MMCインターフェース

容　量

8GB, 16GB, 32GB, 64GB, 128GB

電源電圧

2.7～3.6V　　　　　　　（メモリコア）
1.7V～1.95V / 2.7V～3.6V（インターフェース）

バス幅

x1 / x4 / x8

動作温度

-25℃～+85℃

パッケージ

153Ball FBGA
11.5mmx13.0mm, 11.0mmx10.0mm(製品容量により異なる)
  • 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際にご使用いただけるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、ご使用いただけるお客様の使用可能なメモリ容量（ユーザ領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。（1GBを1,073,741,824バイトとして計算しています。）
  • 読み出し／書き込み速度は1MB／秒を1,000,000バイト／秒として計算しています。

新製品についてのお客様からのお問い合わせ先：
メモリ営業推進統括部　
TEL : 03(3457)3355