業界初UFS Ver. 2.0 準拠組込み式NAND型フラッシュメモリのサンプル出荷について

  • 2014年4月25日
  • 株式会社東芝

当社は、業界初(注1)となるJEDEC UFS(注2) Version 2.0に準拠した、大容量32ギガバイトと64ギガバイトの組込み式NAND型フラッシュメモリのサンプル出荷を本日から開始します。本サンプルは毎秒5.8ギガビットの超高速なMIPI® M-PHY®(注3) のHS-G3規格にも対応した業界初の製品であり、最大読み出し速度は毎秒650メガバイト、最大書き込み速度は毎秒180メガバイトに達する世界最高性能を持つ組み込み式NAND型フラッシュメモリとなります。

新製品はスマートフォンやタブレット等のモバイル端末に置いて、各種アプリケーションの起動時間短縮、内蔵カメラにおける高速連射機能の実現、大容量の動画や音楽ファイルなどの再生時間及び保存時間の短縮など、多くの面でユーザ使用体験の向上を実現することが可能です。
スマートフォンやタブレットなどの携帯機器を中心に、高画質動画や大容量データベースの加工・記録などのニーズをはじめ、通信速度やホストCPUの処理速度の高速化などにより、大容量かつ高性能なフラッシュメモリに対する市場の要求は増大しています。当社では、拡大を続ける携帯機器市場に向け、大容量かつ高性能なUFSメモリ製品のラインアップを今後も強化し続けます。

新製品の概要

品番

容量

パッケージ

サンプル出荷

THGLF2G8C4KBADR

32GB

153Ball FBGA
11.5×13×1.0mm

2014年4月

THGLF2G9C8KBADG

64GB

 153Ball FBGA
11.5×13×1.2mm

2014年4月

主な特長

  • JEDEC UFS Ver. 2.0規格に準拠したインタフェースを有しているため、NAND型フラッシュメモリの制御機能（書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバソフトウェアなど）をユーザが開発する必要がなく、開発負荷が軽減され、ユーザ側の開発期間の短縮につながります。
  • JEDEC UFS ver. 2.0の規格上オプションとなっているM-PHY HS-G3規格に対応しており、最大転送速度が毎秒11.6ギガビットに達する超高速インタフェース搭載により高速な読み出し及び書き込み性能を達成します。
  • JEDEC UFS Ver. 2.0規格に準拠した信号配置を持った小型FBGAパッケージに封止されています。
    32GB：　11.5（縦）×13（横）×1.0（高さ）mm
    64GB：　11.5（縦）×13（横）×1.2（高さ）mm

主な仕様

インタフェース

JEDEC UFS Version 2.0規格準拠

電源電圧(3電源)

2.7～3.6V（メモリコア）
1.70V～1.95V（メモリインタフェース・他）
1.10V-1.30V（コントローラコア・UFSインタフェース)

Lane 数

送信, 受信それぞれ2 Lane

I/F Speed

送信、受信それぞれ最大11.6Gbps

動作温度

-25°C～+85°C

パッケージ

153Ball FBGA
11.5×13×1.0mm (32GB) / 11.5×13×1.2mm (64GB)

(注1)　組込み式NAND型フラッシュメモリ製品として。2014年4月25日時点、当社調べ。
(注2)　Universal Flash Storage。JEDECが規定する組込み式ストレージメモリ標準規格。
(注3)　MIPI®及びM-PHY®はMIPI Allianceの登録商標です。

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メモリ営業推進統括部

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