業界最大128ギガバイトの組込み式NAND型フラッシュメモリの新製品発売について

当社は、スマートフォンやデジタルビデオカメラなどの携帯機器向けに、業界最大となる大容量128ギガバイトの組込み式NAND型フラッシュメモリ（e・MMC™ ^注2）の新製品を発売します。9月から順次サンプル出荷を行い、第4四半期（10-12月）から量産を開始します。

今回発売する128ギガバイトの新製品は、17×22×1.4mm の小型パッケージ^注3に、32nmプロセスによる64ギガビットNANDチップ16枚とコントローラチップを納めた制御機能付メモリです。厚さ30マイクロメートルのチップ薄厚化技術やチップ多段積層技術に加え、大容量64ギガビットNANDチップを使用することにより、組込み式NAND型フラッシュメモリでは業界最大容量を実現しました。　

また、新製品はJEDEC e・MMC™ Ver.4.4^注4に準拠した組込み式NAND型フラッシュメモリ（e・MMC™）であり、機器への組込みを容易にし、ユーザー側の新規開発の負担を軽減します。なお、64ギガビットNANDチップを使用した64ギガバイト製品も8月から順次サンプル出荷を行う予定です。

近年、スマートフォンやデジタルビデオカメラ、タブレットPCなどの様々な携帯機器で、高画質動画を記録したり、大容量のデータベースを加工・記録するニーズが高まっており、それらを保存する大容量メモリが求められています。このような背景のもと、当社では、今後も機器側の開発負担軽減に寄与する大容量メモリ製品のラインアップを強化していきます。

注1 組込み式NAND型フラッシュメモリの製品として。2010年6月時点、当社調べ。
注2 embedded MultiMediaCard 。JEDECの規格に準拠した組込みメモリで、JEDECの登録商標です。
注3 JEDEC標準化予定
注4 JEDECが規定する組込み式NAND型フラッシュメモリembedded MMC標準規格の一つ。

新製品の概要

型名	容量	パッケージ	サンプル出荷	量産時期
THGBM2T0DBFBAIF	128GB	237Ball FBGA 17x22x1.4mm	2010年9月	2010年4Q
THGBM2G9D8FBAIF	64GB	237Ball FBGA 17x22x1.4mm	2010年8月	2010年4Q

新製品の主な特長

JEDEC e・MMC™ Ver.4.4規格に準拠したインターフェースを有しているため、NAND型フラッシュメモリの制御機能（書込みブロック管理、エラー訂正、ドライバーソフトウェアなど）をユーザーが開発する必要がなく、開発負荷が軽減され、ユーザー側の開発期間の短縮にもつながります。
最大容量の128ギガバイト品では、HD画質で16.6時間、SD画質で38.4時間、ワンセグでは645時間の映像データ^注5の記録が可能です。
最先端32nmのプロセス技術を用いたNAND型フラッシュメモリを採用しています。最大容量の128ギガバイト品では、難易度の高い厚さ30マイクロメートルのチップ薄厚化技術を適用し、64ギガビットチップ16枚とコントローラチップ1枚の計17枚を1つのパッケージに封止しています。
新製品は、JEDEC e・MMC™ Ver.4.4規格に準拠した信号配置を持った17（縦）×22　（横）×1.4（高さ）ｍｍの小型FBGAパッケージに封止されています。

注5 各平均ビットレートは、HD画質約17Mbps、SD画質約7Mbps、ワンセグ(QVGA) 約416Kbpsで計算。

新製品の主な仕様

インターフェース	JEDEC e・MMC™ Ver.4.4規格準拠HS-MMCインターフェース
電源電圧	2.7～3.6V（メモリコア） 1.65V～1.95V / 2.7V～3.6V（インターフェース）
バス幅	x1 /x4 / x8
書込み速度^注6	21メガバイト/秒（シーケンシャル/ SDRモード） 21メガバイト/秒（シーケンシャル/ DDRモード）
読出し速度^注6	46メガバイト/秒（シーケンシャル/ SDRモード） 55メガバイト/秒（シーケンシャル/ DDRモード）
動作温度	-25℃～+85℃
パッケージ	153Ball FBGA（+84サポートBall）