NEDO公募「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発」における「光電融合インターフェイスメモリモジュール技術」の採択について

キオクシア株式会社は、国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）が公募した「ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業/先端半導体製造技術の開発」において、「光電融合インターフェイスメモリモジュール技術」を提案し、日本電信電話株式会社（以下、NTT）とともに採択されたことをお知らせします。

NTTが推進するIOWN構想において、データセンターは、複数ユーザーからの多種多様なリアルタイムリクエストを効率よく処理するため、複数の演算リソース（CPUやGPUなど）を光インターコネクトに直結した光ディスアグリゲーテッドコンピューティングが求められます。また、メモリは複数の演算リソースで共有し、利用効率を向上することが必要です。

本研究開発テーマでは、光インターコネクトを介して複数の演算リソースから広帯域の光でアクセスできるメモリを実現するフォトニックファブリックアタッチトメモリモジュール（PFAM）を構成する、メモリコントローラと広帯域バッファメモリの技術開発を行う予定です。なお本開発の一部は東北大学に再委託して実施します。

詳細につきましては、NEDOのウェブサイトをご覧ください。