横浜市内の2つの新たな研究・技術開発施設の稼働を開始

キオクシア株式会社は、研究・技術開発拠点の横浜テクノロジーキャンパス（横浜市栄区）に建設した技術開発新棟「Flagship棟」と、新設する「新子安テクノロジーフロント」（横浜市神奈川区）が完成し、本日稼働を開始したことを発表しました。今後、神奈川県内に分散していた部門を両施設に集結させて研究開発の効率性を高めるとともに、将来の人員増強にも対応していきます。さらに、働きやすい環境でのさらなるイノベーションの創出を促します。また地域社会との連携を進めていきます。

当社では、フラッシュメモリやSSD、新規メモリの研究・技術開発に加え、データセントリックなコンピュータシステムなどの普及を視野にしたシステム技術、ソフトウェア技術、更にはAIなどによるデジタルトランスフォーメーション技術など、多様な分野の研究・技術開発に取り組んでいます。また、国内外の大学や研究所、企業などとのオープンイノベーションも推進しています。

今回、横浜テクノロジーキャンパスでは、Flagship棟の新設により、広さが約2倍となり、製品評価機能を拡充することで、製品開発強化ならびに品質向上を目指します。またFlagship棟は環境に配慮した設計を採用し、省エネルギー設備も備えることで「ZEB Ready*¹」の認定も取得しています。

先端研究用のクリーンルームを設置する新子安テクノロジーフロントでは、新材料や新プロセス、新デバイスなどの幅広い先端研究を行います。クリーンルームは環境に配慮した設計を採用しています。

キオクシア株式会社技術統括責任者の百冨正樹は以下のように述べています。「キオクシアの新たな研究・技術開発施設が無事完成し、稼働を開始することを大変うれしく思います。私たちは、NAND型フラッシュメモリ発明以来、35年以上にわたってイノベーションを生み出し続けてきました。両施設の稼働により、研究・技術開発をさらに加速・深化させ、将来のデジタル社会を支える製品・サービス・技術を提供していきます。」

当社は、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、今後もフラッシュメモリ・SSD事業の競争力強化に向けた取り組みを積極的に展開してまいります。

横浜テクノロジーキャンパス Flagship棟
所在地：横浜市栄区笠間2丁目
建物規模：6階建て
延床面積：約40,000㎡

新子安テクノロジーフロント
所在地：横浜市神奈川区守屋町3丁目
建物規模：4階建て
延床面積：約13,000㎡