令和5年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において科学技術賞を受賞

キオクシア株式会社は、令和5年度科学技術分野の文部科学大臣表彰において、当社従業員が、「科学技術賞（開発部門）」を受賞したことを発表しました。同受賞は、「超高密度3次元フラッシュメモリ構造とその製造方法の開発」の功績が認められたことによるものです。本日表彰式が行われました。

科学技術分野の文部科学大臣表彰は、文部科学省が日本の科学技術水準の向上に寄与することを目的に、科学技術に関する研究開発、理解増進等において顕著な成果を収めた者を表彰するものです。

超高密度3次元フラッシュメモリ構造とその製造方法の開発

フラッシュメモリは、スマートフォンやデータセンターをはじめ、データを保存するさまざまな用途で使用され、今後も需要拡大が見込まれています。

本技術は、メモリセルを立体的に配置した3次元構造とし、積層数の増加による大容量化を可能にしました。また、メモリセルの電極となる層を積層、メモリセルを配置するための孔および、その孔の内部のメモリ膜などを一括で形成することにより、製造工程数の増加を抑制し、大容量化と製造コストの抑制を両立したものです。現在のフラッシュメモリ市場では、従来の2次元フラッシュメモリで物理的な限界を迎えていた微細化技術に代わり、本技術が使用された3次元構造製品が主力となっています。当社では2015年に3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を製品化して以来高積層化を進め、今年3月には218層の大容量・高性能な3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を公表しました。

本技術は令和2年度全国発明表彰「恩賜発明賞」や2021 IEEE Andrew S. Grove Awardを受賞しています。

当社は今後も、「『記憶』で世界をおもしろくする」というミッションのもと、世界の人々に価値をもたらす研究・技術開発を続けていきます。