令和元年度中部地方発明表彰 文部科学大臣賞を受賞

3次元フラッシュメモリの発明

  • 2019年11月25日
  • キオクシア株式会社

当社は、令和元年度中部地方発明表彰（主催：公益社団法人発明協会）において、「3次元フラッシュメモリの発明」（特許第5016832号）が文部科学大臣賞を受賞したことをお知らせいたします。

1921年に開始された地方発明表彰は、全国を8地方（北海道・東北・関東・中部・近畿・中国・四国・九州）に分け、各地方の優れた発明、考案又は意匠を生み出した技術者・研究開発者を顕彰するものです。

表彰式が、11月22日に岐阜グランドホテルで開催されました。

受賞した発明の概要

フラッシュメモリは、スマートフォンやデータセンターをはじめ、データを保存するさまざまな用途で使用され、今後も需要拡大が見込まれています。

従来の2次元フラッシュメモリは、データを蓄える最小単位となるメモリセルを平面方向に配置した2次元構造となっており、メモリセルを微細化することで単位面積あたりの記憶容量を増やし、大容量化と低価格化を実現してきました。しかし、近年微細化が物理的な限界を迎えていました。

本発明は、メモリセルを立体的に配置した3次元構造とし、積層数の増加による大容量化を可能にしました。また、メモリセルの電極となる層を積層、メモリセルを配置するための孔および、その孔の内部のメモリ膜などを一括で形成することにより、製造工程数の増加を抑制し、大容量化と製造コストの抑制を両立したものです。

フラッシュメモリ市場では、2次元構造から3次元構造への置き換えが進み、3次元構造が現在の主力製品となっており、その製造には今回受賞した特許に含まれる技術が使用されています。当社では2015年に48層の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を製品化して以来、64層、96層と高積層化を進め、大容量・高性能な3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を提供しています。

令和元年度 中部地方発明表彰式
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