ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」の開発について

  • 2019年 8月 6日
  • 東芝メモリ株式会社

東芝メモリ株式会社は、新しいストレージクラスメモリ（SCM）であるXL-FLASH™を開発し、サンプル出荷を開始します。本製品は、96層積層プロセスを用いた3次元フラッシュメモリBiCS FLASH™を1ビット/セルのSLC技術を用いて、高速読み出し、書き込みを可能にした製品です。9月より一部OEM顧客向けに128 ギガビット (Gb) チップを用いた製品［注1］のサンプル出荷を開始します。量産は2020年に開始する予定です。
XL-FLASH™は並列処理に優れた16物理プレーン構造［注2］を採用し、高速化を可能にする回路技術により、既存のTLC（3ビット/セル）のBiCS FLASH™と比較して約10倍高速となる5μs以下の読み出しレイテンシを実現し、DRAMとNAND型フラッシュメモリの性能差を埋める新しいメモリ階層として立ち上がりつつあるSCMに位置づけられる製品になります。また、本製品は従来のDRAMよりもビットあたりのコストを低減でき、NAND型フラッシュメモリのように大容量に対応した不揮発性メモリです。
当社は、データセンターおよびエンタープライズストレージ向けの高速SSDへの搭載をはじめ、XL-FLASH™によって、今後、拡大するSCM市場のニーズに対応してまいります。

［注1］2段、4段、8段の積層が可能です。
［注2］同時動作可能な最大プレーン数には制約があります。

  • 本文に掲載の製品名やサービス名は、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。
  • 本製品の表示は搭載されているフラッシュメモリに基づいており、実際に使用できるメモリ容量ではありません。メモリ容量の一部を管理領域等として使用しているため、使用可能なメモリ容量（ユーザー領域）はそれぞれの製品仕様をご確認ください。
  • 1Gbは1,073,741,824ビットを表します。