64層積層プロセスを用いた512ギガビット3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」のサンプル出荷について

  • 2017年2月22日
  • 株式会社東芝

当社は、64層積層プロセスを用いた512ギガビット（64ギガバイト）で3ビット／セル（TLC）の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」注1のサンプル出荷を2月上旬に開始しました。データセンター向け大容量SSDやPC向けSSDを中心に市場のニーズに合わせて展開し、2017年後半の量産開始を予定しています。
また、512ギガビットのチップをひとつのパッケージ内に16段積層することにより、業界最大容量注2の1テラバイトを実現するパッケージ製品を2017年4月からサンプル出荷する予定です。

本製品は、回路技術やプロセスを最適化することでチップサイズを小型化し、48層積層プロセスを用いた256ギガビットのBiCS FLASH™と比べて単位面積あたりのメモリ容量を約1.65倍に大容量化しました。1枚のシリコンウェハーから生産されるメモリ容量を増やすことで、ビットあたりのコスト削減を実現しています。

当社のメモリ事業は、64層積層プロセスを用いた256ギガビット（32ギガバイト）製品を量産しており、市場動向に合わせてBiCS FLASH™の生産を拡大していきます。また、今後も継続して求められるメモリの大容量化、小型化など多様な市場のニーズに応えるためフラッシュメモリの3次元積層構造化を進めていきます。

  1. 従来のシリコン平面上にフラッシュメモリ素子を並べたNAND構造ではなく、シリコン平面から垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げ、素子密度を大幅に向上した構造。
  2. 2017年2月22日時点。当社調べ。
  • BiCS FLASH™は、株式会社東芝の商標です。