半導体新製造棟の建設を目的とした土地取得について

当社は、将来の3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」における製造棟の建設に備え、四日市工場（三重県四日市市）の隣接地取得をこのたび決定しました。対象は四日市工場の東側と北側にある土地で、取得面積は約15万㎡、取得費用は約30億円を予定しています。取得後、2016年度末を目途に造成を完了する予定です。
なお、新しい製造棟の建設時期、生産能力、生産設備への投資など具体的な計画については、市場動向を踏まえ、2016年度中に決定する予定です。

フラッシュメモリは、スマートフォンなどで多く使われており、エンタープライズ用サーバやデータセンタ向けを中心に、今後も需要拡大が見込まれます。四日市工場では、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の製造にあたり、2次元NAND型フラッシュメモリと共通の既存の製造工程を効率的に活用するため、これらの工程に3次元化のための専用工程を組み合わせる計画です。同工場において、3次元専用工程の製造棟として、新第2製造棟（建屋全体の竣工は2016年度前半を予定）を建設していますが、さらに将来の需要拡大に対応するためには、新たに3次元専用工程の製造棟を建設する必要があります。既存敷地内には、新規に建屋を建設するスペースが確保できないため、2次元NAND型フラッシュメモリから3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」への切り替えが必要になった際、建屋を速やかに建設できるよう、今回工場隣接地の取得を決定したものです。

今後も当社は、メモリ事業を注力事業と位置付け、必要な投資の実施など競争力強化に向けた取り組みを進めます。