台湾・パワーチップテクノロジー社等に対する訴訟の中間判決について

当社が、台湾・パワーチップテクノロジー社、パワーフラッシュテクノロジー社、ゼンテルエレクトロニクス社、およびシーティーシー社に対して、NAND型フラッシュメモリ関連の当社特許を侵害しているとして、提起しておりました特許侵害訴訟に関して、台湾知的財産裁判所から、このたび中間判決を受領しました。

中間判決では、当社の台湾特許第154717号及び第I238412号（以下「当社特許」）が有効であること、およびパワーチップテクノロジー社が製造しゼンテルエレクトロニクス社が販売するNAND型フラッシュメモリ3製品（製品番号：A5U1GA31ATS-BC・A5U2GA31BTS-BC・A5U4GA31ATS-BC）が当社特許を侵害していることが認定されました。

なお、当社は、パワーチップテクノロジー社、パワーフラッシュテクノロジー社、ゼンテルエレクトロニクス社、およびシーティーシー社に対して、当社特許に基づき、NAND型フラッシュメモリの製造と販売の差し止め、および損害賠償を請求しています。

現在、台湾知的財産裁判所にて損害賠償に関する審理が進められています。今後、審理が終結し、上述の侵害行為に対する差止め、および損害賠償を認容する終局判決がなされます。