次世代半導体露光技術「ナノインプリントリソグラフィ」の開発加速について

当社は、次世代半導体露光技術「ナノインプリントリソグラフィ」（以下、NIL）の開発を加速すべく、昨年12月に基本合意したSKハイニックス社との共同開発について、本日正式契約を締結しました。本年4月から、当社の横浜事業所において、両社の技術者がNILプロセスの要素技術の共同開発を開始し、2017年の実用化を目指します。

当社は、これまで半導体製造装置メーカー・材料メーカー各社と共同でNILの開発を進めてきました。当社が持つ半導体製造プロセス技術と半導体製造装置メーカー・材料メーカー各社の持つ技術を融合させて、装置・プロセスの両面からNILの実用化を目指してきました。今回、当社が進めるNILのプロセス開発をSKハイニックス社と共同で行うことにより、当社の開発コストを削減させるとともに、実用化に向けた技術開発を一層加速していきます。

NILはメモリの更なる微細化を進める上で欠かせない次世代半導体露光装置の候補の一つです。現在一般的に使用されている「フォトリソグラフィ」は回路パターンを描いたフォトマスクと呼ばれる型の上からレーザ光を照射し、シリコンウェハーに転写するのに対して、NILは回路パターンが掘り込まれた型をシリコンウェハーに直接押し当てて転写するため、より微細な加工の実現が期待されています。

当社は、今後もNILやEUV露光技術など次世代露光技術の開発を積極的に進めるとともに、メモリ製品の微細化を着実に進展させることでメモリ事業を更に強化していきます。