世界初、15nmプロセスを用いたNAND型フラッシュメモリの量産について

当社は、世界で初めて^注115nmプロセス^注2を用いた2ビット/セルの128ギガビット（16ギガバイト）のNAND型フラッシュメモリを開発しました。今月末から四日市工場の第5製造棟で、現行世代の19nm第二世代品から切り替えて順次量産していきます。現在建設中の第5製造棟（第2期分）の完成後、今年の秋には同棟でも製造を行います。

新製品は、世界最先端の15nmプロセスを適用するとともに周辺回路の工夫により、世界最小クラスのチップサイズを実現しました。19nm第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同等、また、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さである533メガビット/秒を実現しています。

当社は本プロセスを採用した3ビット/セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発している高性能NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに展開する予定です。また、SSDの開発も進め、ノートPCなどへの搭載を図ります。

当社は、ロードマップ通り微細化を進めており、今後も積極的に最先端プロセスに切り替えることで、生産性を高め、競争力強化につなげていきます。また、スマートフォン、タブレット、薄型PC、メモリカードなどのコンシューマ製品に加え、高い信頼性が求められるデータセンタ向けのエンタープライズSSDなど多種多様なユーザニーズに対応するため、幅広い用途に向けた製品開発を進め、市場を牽引していきます。